半导体
技术参数
特点
低集电极饱和电压。
: V
CE （ SAT ）
= 0.16V （典型值） ，在（我
C
= -4A ，我
B
=-0.05A)
大的集电极电流
: I
C
= -10A （ DC ）I
C
= -15A （ 10毫秒，单脉冲）
补充KTC5001D / L 。
Q
A
C
KTA1834D/L
外延平面PNP晶体管
I
J
H
P
F
F
2
3
L
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基Voltag
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25
Tc=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-30
-20
-6
-10
-15
-2
1.0
10
150
Q
单位
V
V
V
A
A
W
1
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00最大
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_
0.50 + 0.10
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95最大
B
K
E
M
D
1.基地
2.收集
3.辐射源
DPAK
A
C
I
J
D
O
-55 150
H
G
P
F
F
L
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90最大
K
1.基地
2.收集
3.辐射源
E
B
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（ 1 ）分类
GR ： 180 390 。
符号
I
CBO
I
EBO
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
V
CB
=-20V
V
EB
=-5V
I
C
=-50 A
I
C
=-1mA
I
E
=-50 A
V
CE
= -2V ，我
C
=-0.5A
V
CE
= -2V ，我
C
=-4.0A
I
C
= -4.0A ，我
B
=-0.05A
I
C
= -4A ，我
B
=-0.05A
V
CE
= -5V ，我
E
= 1.5A ， F = 50MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
测试条件
分钟。
-
-
-30
-20
-6
180
82
-
-
-
-
IPAK
典型值。
-
-
马克斯。
-10
-10
单位
A
A
V
V
V
-
-
-0.16
-0.9
150
220
390
-
-0.25
-1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
2003. 3. 27
版本号： 5
1/3
