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A82DL32x4T （ U）系列
时序波形（续）
写周期2
（芯片使能控制）
t
WC
地址
t
AW
t
CW
5
t
WR
3
CE1_S
t
AS
1
(4)
CE2_S
(4)
t
CW
5
t
WP
2
WE
t
DW
t
DH
DIN
t
WHZ
7
DOUT
注：1。吨
AS
从地址有效到写的开始测量的。
2.在重叠（ T A写操作
WP
）低
CE1_S
中，高CE2_S和低WE 。
3. t
WR
从最早的测量
CE1_S
或WE变高或CE2_S变低，以在写入周期的末尾。
4.如果
CE1_S
低电平的跳变或CE2_S高的转变同时发生的WE低转换或之后
在WE过渡，输出将保持在高阻抗状态。
5. t
CW
从后来的测量
CE1_S
变低或CE2_S要高写的结尾。
6. OE连续低。 （ OE = V
IL
)
7.转换测量
±
为500mV从稳定状态。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
初步
（ 2005年8月，版本0.0 ）
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