数据表
敏感的双向可控硅
最大允许外壳温度（T
C
) - C
110
105
100
95
90
85
80
75
70
65
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4类型2和4 TO- 202
4 A TO -251
4 1型和3 TO- 202
4 A TO -220 （隔离）
4 A TO -252
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
在三维图中所示
2.0
6A
-22
0(
ISO
LAT
ed
V
GT
TO
8A
8A
)
TO
-25
1a
nd
TO
TO
-22
-25
0(
2
ISO
晚
d)
V
GT
(T
C
= 25 C)
1.5
1.0
6 A TO -251
6 A TO -252
比
.5
0
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
外壳温度（T
C
) - C
图E1.3最大允许外壳温度对比
通态电流（ 4 A， 6 A， 8 A）
图E1.6归DC门极触发电压为所有象限
VERSUS外壳温度
20
18
T
C
= 25
C
4.0
正或负瞬时
通态电流（I
T
） - 安培
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.8 A
4A
1A
6 A和8的
I
GT
（T = 25℃）
C
3.0
I
GT
2.0
比
1.0
0
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
正或负瞬时
通态电压（V
T
） - 伏
外壳温度（T
C
) - C
图E1.4通态电流与通态电压（典型值）
图E1.7归DC门极触发电流为所有象限
VERSUS外壳温度
7.0
4.0
T
C
= 25 C
6.0
I
H
(T
C
= 25
C)
3.0
导通时间（t
gt
) -
微秒
初始通态电流
= 100 MA（ DC ） 0.8 - 4 A设备
= 200 MA（ DC ） 6 - 8 A设备
I
GT
= 5 mA最大
5.0
I
GT
= 10 mA最大
I
H
4.0
2.0
I
GT
= 20毫安
最大
比
3.0
I
GT
= 3 mA（最大值）
1.0
2.0
1.0
0
-65
-40
-15
+25
+65
+110 +125
0
1
2
3
4
5 6
8
10
20
30
40
60 80 100
外壳温度（T
C
) -
C
直流门极触发电流（I
GT
） - 毫安
图E1.5归DC控股电流与外壳温度
图E1.8启时间与门极触发电流（典型值）
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