A43L3616
设备操作（续）
自动预充电
在预充电操作，也可以通过使用执行
自动预充电。 SDRAM的内部生成的定时
为了满足t
RAS
（分钟）和“t
RP
“对于编程的突发长度
和CAS延迟。是在发出的自动预充电命令
作为突发读取或断言高突发写入的同时
在A10 / AP 。如果发出突发读取或突发写入指令
低的A10 / AP ，银行留下有效，直到一个新的
命令是断言。一旦自动预充电命令
定，没有新的命令是可能的，以该特定的银行
直到该行实现闲置状态。
四家银行预充电
所有的银行可以在同一时间通过利用预充电
预充电所有命令。声称低
CS
,
RAS
和
由“吨指定的操作
RC
（分钟） “ 。的最小数量
需要可以计算时钟周期通过驱动“T
RC
- 与
时钟周期的时间，然后向上舍入到下一个较高的
整数。自动刷新命令后面必须跟
NOP指令的，直到自动刷新操作完成。两
银行将在空闲状态下，在自动刷新的端
操作。自动刷新是优选的刷新模式
当SDRAM的正用于正常的数据
交易。自动刷新周期可以执行一次
在15.6us或爆裂的4096自动刷新周期中的一次
64ms.
自刷新
自刷新是另一刷新模式中可用的
SDRAM 。自刷新是优选的刷新模式
数据保留和SDRAM的低功耗操作。在自
刷新模式中，SDRAM禁止内部时钟和所有
输入缓冲器除CKE 。刷新寻址和
定时由内部产生，以降低功耗。
自刷新模式从所有银行进入空闲状态下，
声称低
CS
,
RAS
,
CAS
和CKE高上
WE
。一旦自刷新模式时被输入，只有CKE状态
是低的问题，其他所有输入接口，包括时钟是
忽略保持在自刷新。
自刷新是通过重新启动外部时钟和退出
然后宣称在高CKE 。这必须跟NOP的
供的“吨的最小时间
RC
“之前的SDRAM达到闲置
状态开始正常运行。如果系统使用爆发
在正常操作期间自动刷新，则建议
退出后，使用连拍4096自动刷新周期立即
自刷新。
WE
具有高的A10 / AP后，两家银行已经满足
t
RAS
（分钟）的要求，进行预充电的两岸。在
色氨酸进行预充电所有，两家银行后结束
处于空闲状态。
自动刷新
需要SDRAM的存储单元被刷新一次
64ms的保持数据。自动刷新周期完成
刷新存储单元的一个行的。内部计数器
在每个自动刷新周期自动递增
刷新所有行。通过发出一个自动刷新命令
声称低
CS
,
RAS
和
CAS
高上CKE
和
WE
。自动刷新命令只能断言
有两家银行正在处于闲置状态，设备不
断电模式（CKE是高的前一周期） 。该
需要填写的自动刷新时间
（ 2002年2月， 3.0版）
14
AMIC Technology，Inc.的
