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93AA76/86
表1-3:
AC特性
可适用于如下建议的工作范围,除非另有说明:
V
CC
= + 1.8V至+ 6.0V
商业( C) :T已
AMB
= 0 ° C至+ 70°C
参数
时钟频率
符号
F
CLK
分钟。
马克斯。
3
2
1
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
周期
条件
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
& LT ;
2.5V
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
& LT ;
4.5V
1.8V
V
CC
& LT ;
2.5V
4.5V
V
CC
6.0V
2.5V
V
CC
& LT ;
4.5V
1.8V
V
CC
& LT ; 2.5V
4.5V
V
CC
6.0V ,相对于CLK的
2.5V
V
CC
& LT ;
4.5V ,相对于CLK的
1.8V
V
CC
& LT ;
2.5V,相对于CLK的
1.8V
V
CC
6.0V
1.8V
V
CC
6.0V ,相对于CLK的
4.5V
V
CC
6.0V ,相对于CLK的
2.5V
V
CC
<4.5V ,相对于CLK的
1.8V
V
CC
< 2.5V,相对于CLK的
4.5V
V
CC
6.0V ,相对于CLK的
2.5V
V
CC
& LT ;
4.5V ,相对于CLK的
1.8V
V
CC
< 2.5V,相对于CLK的
4.5V
V
CC
6.0V ,C
L
= 100 pF的
2.5V
V
CC
< 4.5V ,C
L
= 100 pF的
1.8V
V
CC
< 2.5V ,C
L
= 100 pF的
4.5V
V
CC
5.5V (注1 )
1.8V
V
CC
< 4.5V (注1 )
4.5V
V
CC
6.0V ,C
L
= 100 pF的
2.5V
V
CC
< 4.5V ,C
L
= 100 pF的
1.8V
V
CC
< 2.5V ,C
L
= 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式
WRAL模式
25 ° C,V
CC
= 5.0V ,块模式(注2 )
时钟高电平时间
T
长实
200
300
500
100
200
500
50
100
250
0
250
50
100
250
50
100
250
时钟低电平时间
T
CKL
片选建立时间
T
CSS
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
T
CSH
T
CSL
T
DIS
数据输入保持时间
T
DIH
数据输出的延迟时间
T
PD
100
250
500
100
500
200
300
500
5
15
30
数据输出禁止时间
状态有效时间
T
CZ
T
SV
项目周期
T
WC
T
EC
T
WL
1M
耐力
注1:此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2 :该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个特定的应用程序中估计耐用性
阳离子,请咨询可在我们的网站上获得的总耐力型号:
www.microchip.com
2001年Microchip的科技公司
DS21130D第3页

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