LC662104A ， 662106A ， 662108A
电气特性
在Ta = -30 + 70 ° C，V
SS
= 0 V, V
DD
= 3.0 5.5 V，除非另有规定。
参数
符号
条件
P2，P3 （除了P33 / HOLD引脚） ，P4
P51 ， P53和： V
IN
= 13.5 V时，与所述输出
N沟道晶体管关闭
P0 ， P1 ， P50 ， P52 ， OSC1 ， RES和P33 / HOLD ：
V
IN
= V
DD
与输出N沟道晶体管截止
P0，P1， P2，P3， P4和P5 ：
V
IN
= V
SS
与输出N沟道晶体管截止
P2，P3 （除
P33 / HOLD引脚）
P0, P1, P4, P5
P0，P1， P2，P3， P4和P5
（除了P33 / HOLD引脚） ：我
OL
= 1.6毫安
P0，P1， P2，P3， P4和P5
（除了P33 / HOLD引脚） ：我
OL
= 8毫安
P2，P3， P4， P51 ，和P53 ： V
IN
= 13.5 V
并不适用于P2，P3， P4， P51 ，和P53 ：
V
IN
= V
DD
0.1 V
DD
P2，P3， P4，P5和RES
0.5 V
DD
0.2 V
DD
OSC1 ， OSC2 ：参见图2。 4兆赫
参见图3。 4兆赫
4.0
10.0
0.8 V
DD
0.5 V
DD
V
V
I
OH
= -1毫安
I
OH
= -0.1毫安
–1.0
V
DD
– 1.0
V
DD
– 0.5
30
100
150
0.4
1.5
5.0
1.0
民
评级
典型值
最大
5.0
单位
记
I
IH
1
输入高电平电流
I
IH
2
输入低电平电流
输出高电平电压
输出上拉电阻的值
I
IL
1
V
OH
1
R
PO
V
OL
1
输出低电平电压
V
OL
2
I
关闭
1
关闭输出漏电流
[施密特特性]
滞后电压
高级别阈值电压
低级别的阈值电压
[陶瓷振荡器]
振荡器频率
振荡器的稳定时间
[串行时钟]
周期
输入
产量
t
CKCY
t
CKL
t
长实
t
CKR
, t
CKF
f
CF
f
CFS
V
HYS
Vt
H
Vt
L
I
关闭
2
A
1
1.0
A
A
V
k
V
V
A
A
1
2
3
5
6
6
兆赫
ms
0.9
2.0
SCK0 ：与图4中的正时和测试
负载图5中。
0.4
1.0
0.1
s
TCYC
s
TCYC
s
低层次和高层次的输入
脉冲宽度
产量
崛起的下降时间
[串行输入]
数据建立时间
数据保持时间
[串行输出]
输出的延迟时间
[脉冲条件]
产量
t
ICK
t
长江基建
SI0 ：与图4中的定时。
规定相对于上升沿（↑ ）
SCK0.
0.3
0.3
s
s
t
CKO
SO0 ：与图4中的正时和测试
图5的负载教学落实相对于所述
下降沿SCK0的（↓） 。
0.3
s
INT0的高和低电平
t
IOH
, t
IOL
INT0 ：图6 ，在什么条件下INT0
中断是可以接受，在一定条件下
其中定时器0计数器或脉冲宽度
测量输入可以被接受
INT1 ， INT2 ：图6 ，在哪些条件下
相应的中断是可以接受
RES ：图6中，条件下复位
可以应用。
2
TCYC
高和低电平的脉冲宽度
为中断输入INT0比其他
RES高和低电平
脉冲宽度
t
IIH
, t
IIL
t
RSH
, t
RSL
2
3
TCYC
TCYC
工作电流消耗
I
DD OP
I
DDHALT
I
DDHOLD
V
DD
： 4 MHz的陶瓷振荡器
V
DD
： 4MHz的外部时钟
V
DD
： 4 MHz的陶瓷振荡器
V
DD
： 4MHz的外部时钟
V
DD
: V
DD
= 1.8 5.5 V
4.5
4.5
2.5
2.5
0.01
8.0
8.0
5.5
5.5
10
mA
mA
mA
mA
A
8
停止模式电流消耗
保持模式下的电流消耗
注： 1.输出N沟道晶体管关断共享I / O端口的开漏输出规格。这些引脚不能用作输入引脚，如果
CMOS输出的规格进行选择。
2.输出N沟道晶体管关断的漏极开路输出规格共享I / O端口。对于上拉输出指定管脚的评级是
规定的输出上拉电流的IPO条款。如果CMOS输出规格选择这些引脚不能用作输入引脚。
3.输出N沟道晶体管关闭CMOS输出规格引脚。
4.输出N沟道晶体管关闭上拉输出规格引脚。
6.输出P沟道晶体管截止为漏极开路输出规格引脚。
7.复位状态
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