24LC024/24LC025
2K 2.2V我
2
C
串行EEPROM
特点
至5.5V单电源供电，工作在2.2
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 10 μA待机电流典型值5.5V
组织为128个字节（ 256 ×8 ），单块
为整个阵列硬件写保护
(24LC024)
2线串行接口总线，I
2
C兼容
100kHz和400kHz的兼容性
多达16个字节页写缓存
自定时写周期（包括自动擦除）
3.5毫秒典型的写周期时间页写
地址线，可实现对公交车8设备
- 100擦除/写周期保证
ESD保护＆ GT ; 4,000V
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
可用于扩展级温度范围
- 商业（ C） ：
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
PDIP / SOIC
A0
A1
A2
VSS
1
8
VCC
WP *
SCL
SDA
24LC024
24LC025
2
3
4
7
6
5
TSSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP *
SCL
SDA
24LC024
25LC025
描述
Microchip Technology Inc.的24LC024 / 24LC025是
2K位串行电可擦除的PROM有电压
范围为2.2V至5.5V 。该装置是由一
256× 8位存储器与2线串行单人拦网
界面。低电流设计允许与操作
典型待机和只有10 μA和1个有源电流
MA分别。该装置具有页写功能
多达16字节的数据。功能性地址线
允许多达8个24LC024 / 24LC025的连接
高达16K比特contigu-的同一总线上的设备
OU的EEPROM存储器。该装置是在现有的
标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 150万）和TSSOP
包。
* WP引脚仅适用于24LC024 。这
针对24LC025没有内部连接
框图
A0 A1 A2
WP *
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
V
CC
V
SS
写保护
电路
YDEC
SENSE AMP
R / W控制
* WP引脚仅适用于24LC024 。这
针对24LC025没有内部连接
1999 Microchip的技术公司
DS21210D第1页
