24C02C
2K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
特点
至5.5V单电源供电，工作在4.5
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 10 μA待机电流典型值5.5V
组织为256字节（ 256 ×8）的单个块
数组的上半部分硬件写保护
2线串行接口总线，I
2
C兼容
100 kHz和400 kHz的兼容性
多达16个字节页写缓存
自定时写周期（包括自动擦除）
快速的1毫秒写入周期时间字节或页模式
地址线，可实现对公交车8设备
- 100擦除/写周期保证
ESD保护＆ GT ; 4,000V
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
可用于扩展级温度范围
- 商业（ C） ：
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP / SOIC
A0
A1
A2
VSS
1
8
VCC
WP
SCL
SDA
24C02C
2
3
4
7
6
5
TSSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
24C02C
描述
Microchip Technology Inc.的24C02C是一个2K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
256× 8位存储器与2线串行接口模块
脸上。低电流设计允许与典型操作
待机和仅为10 μA和1 mA工作电流
分别。该装置具有一个页面写功能
最多16个字节的数据，并且具有快速的写入周期时间
只有1毫秒为字节页写。实用
地址线允许多达8个的连接
在同一总线上最多16K位24C02C设备
连续的EEPROM存储器。该器件可
在标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 150万） ，并
TSSOP封装。
框图
A0 A1 A2
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
VCC
VSS
写保护
电路
YDEC
SENSE AMP
R / W控制
I
2
C是飞利浦公司的商标。
1999 Microchip的技术公司
DS21202C第1页
