ST62T55C ST62T65C / E65C
存储器映射
（续）
1.3.6数据RAM / EEPROM
（ DRBR ）
地址： E8H - 只写
7
-
-
-
DRBR
4
-
银行
注册
0
-
DRBR DRBR
1
0
位7-5 =这些位未使用
第4位 -
DRBR4.
该位置1时，选择RAM
第2页。
位3-2 - 保留。这些位不被使用。
第1位 -
DRBR1.
该位置1时，选择
EEPROM第1页（如果有） 。
位0 -
DRBR0.
该位置1时，选择
EEPROM页0时可用。
银行的选择是通过编程制作
数据RAM银行开关寄存器（ DRBR寄存器
之三）位于数据空间的地址E8H AC-
盘带表1.不超过1行应
被设定的时间。
该DRBR寄存器可以像RAM寻址
在地址E8H数据空间;尽管如此，它是
一个只写寄存器，不能与访问
单位操作。此寄存器用来选择
的所需的64字节RAM / EEPROM银行
数据空间。该银行数量已经在被加载
该DRBR寄存器和指令具有指向
到，如果它是在存储体0所选择的位置（从
00H地址到3Fh地址） 。
该寄存器的MCU时，不清除initiali-
矩阵特殊积，因此前必须先写
访问数据空间的银行区。请参阅
数据空间说明额外信息
化。该DRBR寄存器不被修改时
中断或子程序发生。
笔记
:
处理DRBR寄存器时，小心是必需的
只因为它是写。出于这个原因，它是不允许的
在执行IN-改变DRBR内容
中断服务程序，为服务程序可以 -
不保存，然后恢复它以前的内容。如果
是不可能的，以避免在该寄存器中的写入
中断服务程序，该寄存器的图像
每次都必须保存在RAM中的位置，
将程序写入到DRBR还必须写
该映像寄存器。该映像寄存器必须是
第一次写，所以如果中断的发生
两条指令DRBR不受影响。
在DRBR注册，只有1位必须设置。其它 -
明智的两个或多个页面并行启用
产生错误。
还必须谨慎小心，不要改变
EPROM页（可用时）平行时，
写入模式被设定为E2PROM中，如在限定
EECTL寄存器。
表3Data RAM银行注册建立
DRBR
00
01
02
08
10h
其他
ST62T55C
无
无法使用
无法使用
无法使用
RAM第2页
版权所有
ST62T65C/E65C
无
EEPROM页0
EEPROM第1页
无法使用
RAM第2页
版权所有
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