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绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
内部功率耗散(注2 )
差分输入电压
输入电压(注3)
存储温度范围
焊接温度
(焊接, 10秒)
最高结温
工作温度范围
LM725
LM725A
LM725C
T
A(分钟)
55C
55C
0C
to
to
to
260C
150C
T
A(最大值)
+125C
+125C
+70C
±
22V
500毫瓦
±
5V
±
22V
-65 ° C至+ 150°C
电气特性
(注4 )
参数
输入失调电压
(无外部饰件)
输入失调电流
输入偏置电流
输入噪声电压
条件
T
A
= 25C,
R
S
10 k
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
f
o
= 10赫兹
f
o
= 100赫兹
f
o
= 1千赫
输入噪声电流
T
A
= 25C
f
o
= 10赫兹
f
o
= 100赫兹
f
o
= 1千赫
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C,
R
L
2 k,
V
OUT
=
±
10V
T
A
= 25C,
R
S
10 k
T
A
= 25C,
R
S
10 k
T
A
= 25C,
R
L
10 k
耗电量
输入失调电压
(无外部饰件)
平均输入失调
电压漂移
(无外部饰件)
平均输入失调
电压漂移
(使用外部饰件)
输入失调电流
平均输入失调
电流漂移
输入偏置电流
T
A
= T
最大
T
A
= T
20
80
70
180
2
LM725A
TYP MAX
0.5
2.0
42
15
9.0
8.0
1.0
0.3
0.15
1.5
5.0
80
LM725
TYP MAX
0.5
2.0
42
15
9.0
8.0
1.0
0.3
0.15
1.5
1.0
20
100
LM725C
TYP MAX
0.5
2.0
42
15
9.0
8.0
1.0
0.3
0.15
1.5
2.5
35
125
单位
mV
nA
nA
内华达州/
Hz
内华达州/
Hz
内华达州/
Hz
PA /
Hz
PA /
Hz
PA /
Hz
M
V
V / MV
dB
35
V/V
输入阻抗
输入电压范围
大信号电压
收益
共模
抑制比
电源
抑制比
输出电压摆幅
±
13.5
1000
120
±
14
3000
±
13.5
1000
110
±
14
3000
120
2.0
10
±
13.5
250
94
±
14
3000
120
2.0
2.0
5.0
R
L
2 k
T
A
= 25C
R
S
10 k
R
S
= 50
±
12.5
±
12.0
±
13.5
±
13.5
80
105
0.7
±
12
±
10
±
13.5
±
13.5
80
105
1.5
±
12
±
10
±
13.5
±
13.5
80
150
3.5
V
V
mW
mV
2.0
R
S
= 50
0.6
T
A
= T
最大
T
A
= T
1.2
7.5
35
1.0
4.0
18.0
90
2.0
5.0
2.0
μV/°C
0.6
1.2
7.5
35
20
80
20
40
150
100
200
0.6
1.2
4.0
10
125
250
35
50
μV/°C
nA
nA
PA / ℃,
nA
nA
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