LM833
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
V
CC
–V
EE
36V
储存温度范围T
英镑
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
（ SOIC和MSOP ）
气相（60秒）
红外（15秒）
ESD容差（注5 ）
60
150C
260C
差分输入电压（注3 ）V
I
输入电压范围（注3 ）V
IC
功率耗散（注4 ） P
D
工作温度范围T
OPR
±
30V
±
15V
500毫瓦
40
85C
（注1,2 ）
215C
220C
1600V
DC电气特性
(T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V)
符号
V
OS
I
OS
I
B
A
V
V
OM
V
CM
CMRR
PSRR
I
Q
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
电压增益
输出电压摆幅
输入共模范围
共模抑制比
电源抑制比
电源电流
条件
R
S
= 10
民
典型值
0.3
10
500
最大
5
200
1000
单位
mV
nA
nA
dB
V
V
V
dB
dB
R
L
= 2 kΩ的，V
O
=
±
10V
R
L
= 10 k
R
L
= 2 k
V
IN
=
±
12V
V
S
= 155V, 155V
V
O
= 0V ，这两个放大器
90
110
±
12
±
10
±
12
80
80
±
13.5
±
13.4
±
14.0
100
100
5
8
mA
AC电气特性
(T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V ，R
L
= 2 k)
符号
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
参数
条件
R
L
= 2 k
F = 100千赫
民
5
10
典型值
7
15
最大
单位
V / μs的
兆赫
设计的电气特性
(T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V ）以下参数未经过测试或保证。
符号
V
OS
/T
THD
e
n
i
n
PBW
f
U
φ
M
参数
平均温度系数
输入偏移电压的
失真
输入参考噪声电压
输入参考噪声电流
功率带宽
单位增益频率
相位裕度
输入参考相声
R
L
= 2 kΩ的， F = 20~20千赫
V
OUT
= 3 Vrms的，A
V
= 1
R
S
= 100Ω ， F = 1千赫
F = 1千赫
V
O
= 27 V
pp
, R
L
= 2 kΩ的， THD
≤
1%
开环
开环
F = 20~20千赫
4.5
0.7
120
9
60
120
千赫
兆赫
度
dB
0.002
%
条件
典型值
2
单位
μV/°C
3
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