绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
差分输入电压
电压输入/输出引脚
电源电压（V
+
V
)
电流输入引脚（注11 ）
电流输出引脚（注3 ）
目前在电源引脚
铅温度。 （焊接， 10秒）
存储温度范围
2千伏
±
电源电压
(V
+
) +0.3V, (V
) 0.3V
12V
±
5毫安
±
30毫安
35毫安
260C
-65 ° C至+ 150°C
结温（注4 ）
150C
工作额定值
（注1 ）
电源电压
结温范围
LMC6582AI ， LMC6582BI
LMC6584AI ， LMC6584BI
热阻（ θ
JA
)
N包装， 8引脚DIP成型
男包， 8引脚表面贴装
N包装， 14引脚DIP成型
男包， 14引脚表面贴装
1.8V
≤
V
S
≤
10V
40C
≤
T
J
≤
+85C
40C
≤
T
J
≤
+85C
108C/W
172C/W
88C/W
126C/W
3V直流电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 3.0V, V
= 0V, V
CM
= V
O
= V
+
/ 2和R
L
＆ GT ;
1 M.
Bold-
脸
限制适用于极端温度。
LMC6582AI
符号
参数
条件
典型值
（注5 ）
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
R
IN
C
IN
CMRR
PSRR
V
CM
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入电流
输入失调电流
输入阻抗
输入电容
共模
抑制比
电源
抑制比
输入共模
电压范围
0.3
A
V
V
O
大信号
电压增益
输出摆幅
R
L
= 600Ω （注7 ， 12 ）
R
L
= 10 kΩ的（注7 ， 12 ）
R
L
= 600Ω到V
+
/2
70
1000
2.87
0.15
R
L
= 2 kΩ到V / 2
+
LMC6582BI
LMC6584BI
极限
（注6 ）
3
4.5
mV
最大
μV/°C
单位
LMC6584AI
极限
（注6 ）
1
2.5
0.5
1.5
（注12 ）
（注12 ）
0.08
0.04
20
10
20
10
pA的最大
pA的最大
TERA
pF
＆ GT ;
1
3
（注13 ）
82
82
3.23
70
65
70
65
3.18
3.00
0.18
0.00
10
12
2.70
2.58
0.3
0.42
2.95
0.05
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
2.99
0.01
2.85
2.79
0.15
0.21
2.94
2.91
0.04
0.05
65
62
65
62
3.18
3.00
0.18
0.00
10
12
2.70
2.58
0.3
0.42
2.85
2.79
0.15
0.21
2.94
2.91
0.04
0.05
dB
民
dB
民
V
民
V
最大
V / MV
V / MV
V
民
V
最大
V
民
V
最大
V
民
V
最大
±
1.5V
≤
V
S
≤
±
2.5V
V
O
= V /2 = V
CM
CMRR
＆ GT ;
50分贝
+
3
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