绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
差分输入电压
电压输入/输出引脚
电源电压（V - V） ：
电流输入引脚（注10 ）
电流输出引脚（注3,7 ）
铅温度。 （焊接10秒）
储存温度。范围：
结温。 （注4 ）
+
+
工作额定值
（注1 ）
电源电压
结温
范围： LMC6442AI ， LMC6442I
热阻（ θ
JA
)
男包， 8引脚表面
MOUNT
MSOP封装
N包装， 8引脚模压
DIP
193C/W
235C/W
115C/W
1.8V
≤
V
S
≤
11V
40C
＆ LT ;
T
J
＆ LT ;
+85C
2千伏
±
电源电压
(V ) + 0.3V, (V ) 0.3V
16V
±
5毫安
±
30毫安
260C
-65 ° C至+ 150°C
150C
2.2V电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 2.2V, V
= 0V, V
CM
= V
O
= V
+
/ 2，和R
L
= 1 MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
参数
条件
典型值
（注5 ）
LMC6442AI LMC6442I
极限
极限
（注6 ）
（注6 ）
单位
DC电气特性
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
C
IN
PSRR
V
CM
输入失调电压
温度。输入系数
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制
比
共模输入
电容
电源抑制比
输入共模电压
范围
V
S
= 2.5 V至10V
（注14 ）
（注14 ）
0.1V
≤
V
CM
≤0.5V
0.75
0.4
0.005
0.0025
92
4.7
75
75
1.05
0.95
0.2
0
75
75
1.05
0.95
0.2
0
4
2
67
67
4
2
67
67
±
3
±
4
±
7
±
8
mV
最大
μV/°C
pA
最大
pA
最大
分贝分钟
pF
dB
民
V
民
V
最大
dB
民
V
民
mV
最大
A
民
95
1.3
CMRR
≥
50分贝
0.3
100
94
103
2.18
22
50
50
1.90
2.10
2.2
A
V
大信号电压增益
采购（注11 ）
下沉（注11 ）
V
O
= 0.22V至2V
80
2.15
2.15
60
60
18
17
20
19
2.4
3.0
80
2.15
2.15
60
60
18
17
20
19
2.6
3.2
V
O
输出摆幅
V
ID
= 100毫伏（注13 ）
V
ID
= -100 mV的（注13 ）
I
SC
输出短路电流
I
S
电源电流（ 2放大器）
采购，V
ID
= 100 mV的
（备注12 ，13）
下沉，V
ID
= -100 mV的
（备注12 ，13）
R
L
=打开
V
+
= 1.8V ，R
L
=打开
A
最大
AC电气特性
SR
压摆率（注8）
V / ms的
3
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