绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差
输入电压
电源电压（V
DD
)
工作温度
存储温度范围
1.0千伏
GND–0.3V
≤
V
+
≤
V
DD
+0.3V
DC
-0.3到+6.5 V
DC
-20 ° C至+ 75°C
-55 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
)
最大耗散功率（P
D
)
+150C
1.09W
工作额定值
（注1 ）
电源电压
频率
热阻（ θ
JA
)
降额
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
DC- 50 kHz的
8.70毫瓦/ C
3V直流电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
J
= 25° C和V
DD
= 3.0 V
DC
.
符号
V
DD
V
OS
I
B
V
OL
参数
电源电压
失调电压
输入偏置电流
输出电压，低
放大器A8和A9
I
SINK
= 13毫安
放大器A1 -A7
I
SINK
= 13毫安
V
OH
输出电压，高
放大器A1和A2的
I
来源
= 13毫安
放A3 -A9
I
来源
= 13毫安
I
SC
I
DD
V
L
输出短路电流
电源电流
负载调整率
V
OUT
- 1.65V （注1 ）
空载
V
IN
= 0.3–3 V
DC
I
来源
= 13毫安
I
SINK
= 13毫安
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
A
V
A / B切换逻辑电压，高
A / B切换逻辑电压，低
A / B切换逻辑电流，高
A / B切换逻辑电流，低
电压增益
0.985
选择
选择B
2
0.8
1.5
1
V
DD
–0.2
V
DD
–0.6
80
150
3.5
5
10
+10
R
S
= 10k
条件
民
2.7
典型值
3.0
最大
3.3
20
1500
GND +
0.2
GND +
0.6
单位
V
mV
nA
V
V
V
V
mA
mA
mV
mV
V
V
A
A
V/V
注1 ：
见测试电路（图
2
)
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
J
= 25° C和V
DD
= 5 V
DC
.
符号
V
DD
V
OS
I
B
V
OL
参数
电源电压
失调电压
输入偏置电流
输出电压，低
放大器A8和A9
I
SINK
= 20毫安
放大器A1 -A7
I
SINK
= 20毫安
V
OH
输出电压，高
放大器A1和A2的
I
来源
= 20毫安
放A3 -A9
I
来源
= 20毫安
I
SC
I
DD
输出短路电流
电源电流
V
OUT
- 1.65V （注1 ）
空载
V
DD
–0.2
V
DD
–1.0
120
200
4.5
6
R
S
= 10k
条件
民
4.5
典型值
5
最大
5.5
20
1500
GND +
0.2
GND +
1.0
单位
V
mV
nA
V
V
V
V
mA
mA
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