LMH6628
绝对最大额定值
（注1 ）
最高结温
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+300C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注4 ）
人体模型
机器型号
电源电压
短路电流
共模输入电压
差分输入电压
2kV
200V
13.5
（注3）
V
+
- V
V
+
- V
工作额定值
（注1 ）
热阻（注5 ）
包
SOIC
温度范围
标称电源电压
(θ
JC
)
65C/W
(θ
JA
)
145C/W
-40 ° C至+ 85°C
±
2.5V至
±
6V
电气特性
（注2 ）
V
CC
=
±
5V ，A
V
= + 2V / V ，R
F
= 100, R
G
= 100, R
L
= 100Ω ;除非另有规定。
粗体
限制适用于
温度过高或过低。
符号
GB
SSBW
SSBW
GFL
GFP
GFR
LPD
TR
TS
OS
SR
HD2
HD3
V
N
I
N
XTLKA
G
OL
V
IO
DV
IO
I
BN
DI
BN
I
OS
I
OSD
PSRR
CMRR
I
CC
参数
增益带宽积
-3dB带宽，
V
= +1
-3dB带宽，
V
= +2
增益平坦度
高峰
滚降
线性相位偏差
上升和下降时间
建立时间
冲
压摆率
二阶谐波失真
3次谐波失真
等效输入噪声
电压
当前
相声
开环增益
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
平均漂移
输入失调电流
平均漂移
电源抑制比
共模抑制比
电源电流
每通道，R
L
=
∞
60
46
57
54
7.5
7.0
1MHz至100MHz的
1MHz至100MHz的
输入参考， 10MHz的
56
53
2
2
62
63
内华达州/
PA /
dB
dB
条件
V
O
＆ LT ;
0.5V
PP
V
O
＆ LT ;
0.5V
PP
V
O
＆ LT ;
0.5V
PP
V
O
＆ LT ;
0.5V
PP
DC到200MHz
DC至20MHz
DC至20MHz
1V步骤
2V步至0.1％
1V步骤
4V步骤
1V
PP
， 10MHz的
1V
PP
， 10MHz的
300
0.0
.1
.1
4
12
1
550
65
74
dB
dB
度
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
180
民
典型值
200
300
100
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
频域响应
时间域响应
失真和噪声响应
静电， DC性能
±
.5
5
±
2
±
2.6
±
20
±
30
±
6
mV
μV/°C
A
NA / ℃，
A
NA / ℃，
dB
dB
±
.7
150
0.3
5
70
62
9
12
12.5
mA
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2
