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LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
–
-65
–
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C，V
s
= + 2.7V ，G = 2 ，R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的，V
O（ DC ）
= V
cc
/ 2;除非另有说明）
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声： LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流（每通道）
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的，R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
度
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项：
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门， CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小，实际测量。
修订版2002年11月1日
3
