通用型，低电压，
单/双/四路，微小的，包装比较
LMX331/LMX393/LMX339
V
DD
R
L
R1
V
DD
R2
V
REF
IN +
OUT
V
IN
IN-
LMX331
V
SS
V
OUT
其中R1
≈
100kΩ的，V
TH
= 2.525V ，和V
TL
= 2.475V.
选择R1和R2必须足够大以不超过
电流的参考量可以供应。
所需的电源电流为V
REF
/ (R1 + R2).
吸收电流为（V
输出（高）
- V
REF
)
(R1 + R2).
选择[R色
L
必须足够大，以避免附图过度
目前，还没有小到足以提供必要的电流
租来驱动负载。
L
应为1kΩ之间
10k.
电路板布局和旁路
从V使用0.1μF的旁路电容
DD
到V
SS
。要MAX-
减到性能，最大限度地减少杂散电感由
把这个电容靠近V
DD
引脚和reduc-
荷兰国际集团的走线长度。对于缓慢移动的输入信号（上升
时间>为1ms ） ，使用IN +和IN-之间1nF电容
以减少高频噪声。
图2.将滞后与外部电阻
1）找到输出电压时，输出为高电平：
V
输出（高）
= V
DD
- I
负载
R
L
2）找到使用这些比较器的触发点
公式：
V
TH
= V
REF
+ ((V
输出（高）
- V
REF
)R2) / (R1 + R2)
V
TL
= V
REF
(1 - (R2 / (R1 + R2)))
其中，V
TH
是阈值电压处的COM
parator切换高输出低的V
IN
上升
上面的跳变点，和V
TL
是在阈值电压
其中，比较器输出由低到
高达V
IN
低于触发点。
3 ）滞后带将是：
V
HYST
= V
TH
- V
TL
= V
DD
(R2 / (R1 + R2))
在本例中，设V
DD
= 5V, V
REF
= 2.5V ，我
负载
=
50nA ，R
L
= 5.1k:
V
输出（高）
= 5.0V - (50
10
-9
5.1
10
3
) ≈
5.0V
V
TH
= 2.5V + 2.5V （ R2 /（R1 + R2） ）
V
TL
= 2.5V （ 1 - （ R2 / （R1 + R2 ）））
选择R2。在这个例子中，我们将选择为1kΩ 。
选择V
HYST
。在这个例子中，我们将选择为50mV 。
求解R1 ：
V
HYST
= V
输出（高）
（ R2 /（R1 + R2） ）V
0.050V = 5 （1000 /（R1 + 1000） ）V
芯片信息
LMX331 / LMX331H晶体管数量： 112
LMX393 / LMX393H晶体管数量： 211
LMX339 / LMX339H晶体管数量： 411
8
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