LNBS21
图34：
输出电压瞬态响应
从13V到18V
图35：
输出电压瞬态响应
从13V到18V
V
CC
= 12V，我
O
= 50mA时的VSEL =从0到1 ， EN = 1时
V
CC
= 12V，我
O
= 50mA时VSEL =从1到0 ， EN = 1
TERMAL设计说明
在正常操作期间，该装置的功耗
一些权力。在最大额定输出电流
（ 500毫安），对线性调节器上的电压降
导致总耗散功率是约
1.7W 。所产生的热量，需要一个合适的
散热器，以保持低于结温
该
过热
保护
门槛。
假设内的40℃的温度
机顶盒的情况下，总Rthj -磁悬浮必须
小于50℃ / W 。
虽然这可以通过使用容易地实现
可连接的通孔功率包
到一个小的散热片或在其金属框架
接收器，表面贴装功率封装必备
依靠PCB解决方案，其热效率
往往是有限的。最简单的解决方案是使用一个
GND层为大型， CON-连续的铜面积
消散的热量从IC本体的到来。
在SO -20封装该IC具有4 GND引脚
不只是用于电气GND
CONNEC -化，而且还能够提供低导热
在硅芯片和之间的电阻路径
PCB散热。给定一个Rthj -C等于15℃/ W，
最高35 ℃/ W的是左到PCB
散热器。如果至少该图中，实现
25平方厘米铜区被置于略低于IC
体。这地区的可以是的一个所述内一层配置GND层
多层印刷电路板，或者，在一个双层印刷电路板，一
完整的接地面积，即使在相对侧上
其中集成电路被放置。在这两种情况下，热
之间的集成电路GND引脚和散热路径
铜面积必须具有低热阻。
在图4中，示出了一个建议的布局
SO- 20封装，双层PCB板，其中，
IC的接地引脚和方形散热面积
通过32孔的孔进行热连接，
填充焊料。
这种结构，当
L = 50MM，达到了Rthc ，一个约25 ° C / W的。
不同的布局也是可以的。基本
原则，但是，建议以保持集成电路及
接地引脚大致的中间
散热面积;提供尽可能多的过孔
可能的;到去签一个散热区域具有
形状为正方形尽可能不中断
其他铜痕迹。
由于裸焊盘连接到存在
GND的IC体的下方，所述PowerSO -20
包有一个Rthj -C比SO- 20低得多，
只有2 ° C / W 。这样一来，大大降低铜的面积
必须提供给消散相同的功率和
最低12平方厘米铜面积就够了，看
图5中。
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