LP38691/LP38693
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
铅温度。 （焊接， 5秒）
ESD额定值（注3 ）
功率耗散（注2 ）
V（最大值）的所有引脚（相对于GND ）
-65 ° C至+ 150°C
260C
2千伏
内部限制
-0.3V至12V
I
OUT
结温
内部限制
-40 ° C至+ 150°C
工作额定值
V
IN
电源电压
工作结
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
黑体字
申请
在整个工作温度范围内。除非另有规定： V
IN
= V
OUT
+ 1V ，C
IN
= C
OUT
= 10 μF ，我
负载
= 10毫安。
最小/最大极限值通过测试，统计相关性，或设计保证。
符号
参数
条件
民
-2.0
V
O
V
O
/V
IN
V
O
/I
L
输出电压容差
输出电压线路调整
（注6 ）
输出电压负载调整
（注7 ）
100 A
＆ LT ;
I
L
＆ LT ;
0.5A
V
O
+ 1V
≤
V
IN
≤
10V
V
O
+ 0.5V
≤
V
IN
≤
10V
I
L
= 25毫安
1毫安
＆ LT ;
I
L
＆ LT ;
0.5A
V
IN
= V
O
+ 1V
(V
O
= 2.5V)
I
L
= 0.1A
I
L
= 0.5A
V
IN
- V
OUT
输入输出电压差（注8）
(V
O
= 3.3V)
I
L
= 0.1A
I
L
= 0.5A
(V
O
= 5V)
I
L
= 0.1A
I
L
= 0.5A
I
Q
I
L
（分钟）
I
FB
PSRR
T
SD
T
SD
（ HYST ）
静态电流
最小负载电流
折返式限流
纹波抑制
热关断激活
（结温）
热关断迟滞
（结温）
V
IN
≤
10V ，我
L
=100 A - 0.5A
V
EN
≤
0.4V ， （ LP38693只）
V
IN
- V
O
≤
4V
V
IN
- V
O
＆ GT ;
5V
V
IN
- V
O
＆ LT ;
4V
V
IN
= V
O
+ 2V （DC） ，以1V （对 - p）的
/ 120Hz的纹波
350
850
55
160
C
10
-4.0
0.03
1.8
80
430
65
330
45
250
55
0.001
典型值
（注4 ）
最大
2.0
4.0
0.1
5
145
725
110
550
100
450
100
1
100
mA
dB
A
%V
OUT
单位
电气特性
%/V
%/A
mV
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4
