LT5526
应用S我FOR ATIO
的LT5526包括一个双平衡混频器，射频
缓冲放大器，高速限制LO缓冲器
偏置/使能电路。该IC已经优化
下变频器的应用程序与RF输入信号至2GHz
和LO信号至2.5GHz 。通过适当的匹配，中频
输出可以从频率来调整操作
为0.1MHz到1GHz 。工作在更宽的输入频率
范围是可能的，但性能会有所降低。
该RF ， LO和IF端口都差，尽管LO
港口内部匹配的单端驱动器（带
外部隔直流电容器） 。该LT5526是字符
terized并采用单端LO驱动器的生产测试。
低侧或高侧LO注入都可以使用。
RF输入端口
图3示出了内部RF的简化示意图
输入电路和例如外部阻抗匹配
成分为900MHz的应用。每个RF输入引脚
需要低电阻的直流电返回到地能够
处理7.5毫安。直流接地可以利用来实现
中心抽头的输入变压器（T1） ，如图所示，或者
通过匹配电感或偏压扼流圈连接
从引脚2和3接地。
RF
IN
900MHz
T1
1:1 6
2
3
1
4
T1 ： LDB31900M05C -417
图3. RF输入，外部匹配
为900MHz的应用
U
低通阻抗匹配网络被用于反式
形成在引脚2和3的差分输入阻抗的
为平衡 - 不平衡变换器输出的最佳值，如图中
图3和图4，为了帮助在匹配时，表1列出了
差分输入阻抗和反射系数
引脚2和3为多个RF频率。以下
示例演示了如何设计一个低通阻抗
ANCE变换网络的RF输入。
从表1中，差分输入阻抗在900MHz
IS ：v
RF
+ JX
RF
= 31.3 + j8.41Ω 。该8.41Ω电抗
上的每一个侧面分为两半，其中一半
31.3Ω内部负载电阻器，如图4。
匹配网络由额外的外部串联
电感和一个电容（C1）并联的所需
源阻抗（在这个例子50Ω ） 。外部
电容和电感的计算方法如下：
R
S
/R
RF
= 50/31.3 = 1.597
Q =
√(n
– 1) = 0.773
X
C
= R
S
/Q = 64.7
C1 = 1 /（ ω X
C
） = 2.74pF
X
L
= R
RF
Q = 24.2
X
EXT
= X
L
– X
RF
= 15.8
L
EXT
= X
EXT
/ ω = 2.79nH
TL1
Z
0
= 80
LNG = 1.25毫米
2
C1
2.7pF
TL2
Z
0
= 80
LNG = 1.25毫米
3
7.5mA
RF
+
LT5526
RF
–
7.5mA
V
BIAS
5526 F03
W
U U
5526f
9
