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M29F040B
4兆位（ 512KB X8 ，统一座）单电源闪存
初步数据
s
单5V
±
10％的电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间：为45nS
编程时间
- 每个字节的典型8μs
8均匀64K字节的内存块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8× 20毫米
s
s
s
s
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
32
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： E2H
A0-A18
19
1
PDIP32 （P）的
s
s
图1.逻辑图
s
s
VCC
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M29F040B
VSS
AI02900
1999年9月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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