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M29F002T , M29F002NT , M29F002B
表15.写AC特点,写使能受控
(T
A
= 0至70
°
C或-40 85
°
C)
M29F002T / M29F002NT / M29F002B
-70
符号
ALT
参数
-90
-120
单位
V
CC
= 5V
±
10% V
CC
= 5V
±
10% V
CC
= 5V
±
10%
标准
接口
最大
标准
接口
90
0
45
45
0
0
20
5
45
0
50
0
500
500
最大
标准
接口
120
0
50
50
0
0
20
5
50
0
50
0
500
500
最大
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHEH
t
WHWL
t
AVWL
t
WLAX
t
GHWL
t
VCHEL
t
WHGL
t
PHPHH (1,2)
t
PLPX
t
WC
t
CS
t
WP
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPH
t
AS
t
AH
地址有效到下一个地址
有效
芯片使能低到写使能
写使能低到写使能
输入有效到写使能高
写使能高到输入
过渡
写使能高到芯片使能
写使能高到写使能
地址有效到写使能低
写使能低到地址
过渡
输出使能高到写
启用低
70
0
35
30
0
0
20
5
45
0
50
0
500
500
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
t
VCS
t
OEH
t
VIDR
t
RP
V
CC
高到芯片使能低
写使能高到输出
启用低
RPNC上升时间到V
ID
RPNC脉冲宽度
注意事项:
只有1.样品,而不是100 %测试。
2.本定时对临时块unprotection的操作。
ChipErase ( CE )指令。
这instructionuses
6写周期。擦除设置命令80H
写入后处理555H在第三周期
两个编码周期。芯片擦除确认
命令10H同样写在了第六周期
接连两个编码周期。如果第二
命令给定的不擦除确认,或者如果
编码周期是错误的,指令和中止
该设备重置为读阵列。这是没有必要
与00H数组第一个为P / E.C编程。将
它删除到FFH之前automaticallydo这一点。读
之后, W或E的第六个上升沿操作
输出状态寄存器的位。期间都是空
tionof theerase由P / EC号指令,数据查询位DQ7
返回' 0' ,那么'1'上完成。触发位
DQ2和DQ6擦除操作过程中切换和
当擦除完成后停止。 completionthe后
状态寄存器位DQ5 returns'1 “如果出现了
擦除失败。
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