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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
(2)
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
(2)
(3)
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RPNC ）
A9 ，E ，G ， RPNC电压
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
组织
该M29F002组织为256K X 8内存
控制是由芯片提供启动E，输出恩
能够G和写使能W输入。
复位/座临时unprotection的RPNC
（上M29F002NT不可用）三电平输入亲
国际志愿组织一个hardwarereset拉为低电平，当
举高（在V
ID
）暂时取消保护块
先前保护使他们能够progra-
MED和删除。擦除和编程操作
通过内部编程/擦除CON-控制
控制器（ P / E.C ）。 StatusRegister数据outputon DQ7
提供了数据查询信号，并DQ6和DQ2
提供切换信号指示的状态
P / E.C操作。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。该
M29F002有7块阵列，一是引导块
16千字节， 8千字节2参数块，
32千字节和三个主要模块1正座
64千字节。
存储器映射是显示在图3的每块
可单独擦除的任何组合
块可以为多块擦除或指定
整个芯片可以被擦除。擦除操作
是managedautomaticallyby的P / E.C.The块
擦除操作可以读暂停
从程序或任何块没有被ersased ，
然后重新开始。块保护提供了额外
方面的资料的安全性。每个块可以被分别
protectedor unprotectedagainstProgram或擦除
编程设备。所有以前亲
tected块可以是暂时的unprotectedin
应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
在appropriatebus周期：读取（阵列，电子
签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲
吨EC吨IO N， UNP RO TE CT IO N， P ro的忒CTI上Verif Y，
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可给予本程序/ EraseController
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
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