位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第622页 > M295V002T-120K1TR > M295V002T-120K1TR PDF资料 > M295V002T-120K1TR PDF资料1第16页
M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
图7.写AC波形，硬件控制
tAVAV
A0-A17
有效
tWLAX
tAVWL
E
tELWL
G
tGHWL
W
tWHWL
tDVWH
DQ0-DQ7
有效
tWHDX
tWLWH
tWHGL
tWHEH
VCC
tVCHEL
AI02083
注意：
地址被锁存于W的下降沿，数据被锁存， W的上升沿
擦除挂起（ ES ）指令。
块
擦除操作可以通过这个指令暂停
化其中包括写入命令B0H的
没有任何特定的地址。无编码周期
所需。它允许数据的读出从另一
块和编程的同时，另一块
擦除操作正在进行中。擦除挂起是
只有块擦除指令期间接受
执行。擦除过程中写这个命令
超时会，除了暂停擦除，
终止超时。切换位DQ6站
togglingwhen在P / E.C 。是suspended.The切换
位将停止后，为0.1μs ，并为15μs之间切换
擦除挂起（ ES ）命令已令状
10 。该设备将自动设置为
读取内存阵列模式。当擦除可持
挂起，读的数据块被擦除会
输出DQ2翻转，DQ6 “1” 。 A读的
块不被擦除回报的有效数据。中
悬挂的内存只会给回应
删除恢复ER和程序指令PG
系统蒸发散。在编程操作过程中可启动
擦除挂起中的一个块不被
删除。这将导致两个DQ2和DQ6的肘节
当数据被beingprogrammed 。的aread /复位
16/29
命令将最终中止擦除和结果
在块无效数据被擦除。
删除恢复（ ER ）指令。
如果擦除可持
先前执行挂起指令时，
擦除操作可以通过给恢复
命令30h中，在任何地址，并且没有任何
编码周期。
电源
上电
内存命令接口复位上电
到读阵列。东或者西必须连接到V
IH
在上电期间，允许最大的安全性和
的可能性，以在所述第一崛起写一个命令
E和W的边缘，任何写周期的起始是
阻塞当VCC低于V
LKO
.
电源轨
正常的预防措施，必须采取电源电压
年龄脱钩;系统中的每个设备应
有V
CC
铁路decoupledwith一个0.1μF的电容
靠近V
CC
和V
SS
销。 PCB走线
宽度应足以携带在V
CC
亲
克和擦除所需的电流。
