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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
256M双数据速率同步DRAM
框图
DLL
DQ0 - 15
UDQS ， LDQS
I / O缓冲器
QS缓冲区
内存
ARRAY
银行＃ 0
内存
ARRAY
银行＃ 1
内存
ARRAY
银行＃ 2
内存
ARRAY
银行＃ 3
模式寄存器
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
A0-12
BA0,1
CLK / CLK CKE
控制信号缓冲
/ CS / RAS / CAS / WE
UDM ，
LDM
型号代码
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
M 2第56 3 0 KT -75A L
功率级L：低功耗，空白：标准
速度Grade10 ： 125MHz的@ CL = 2.5,100MHz @ CL = 2.0
75:
133MHz@CL=2.5,100MHz@CL=2.0
75A ：为133MHz @ CL = 2.5,133MHz @ CL = 2.0
封装类型TP ： TSOP （ II ） ， KT ： sTSOP （小TSOP ）
程世代
功能保留供以后使用
组织2 N 2 ： X4 ， 3 ： X8 ， 4 ： X16
DDR同步DRAM
密度56 ： 256M位
接口V ： LVTTL ，S ： SSTL_3 ， _2
内存式（ DRAM ）
三菱主名称
(DDR200)
(DDR266B)
(DDR266A)
三菱电机
6
