DDR SDRAM （ Rev.1.2 ）
六月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
[写了预充电打断]
猝发写操作可以由相同的或所有的银行的预充电被中断。随机列
允许访问。 tWR的从最后一个数据输入后的第一正CLK的边缘引用。
写了预充电（ BL = 8 ， CL = 2.5 ）中断
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
DM
QS
DQ
写
PRE
Yi
0
00
00
tWR的
Dai0
Dai1
三菱电机
32
