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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
256M双数据速率同步DRAM
[写了写打断]
突发写操作可以通过写中断任何银行。随机列允许访问。写
要写入间隔为1 CLK最小。
写了写中断（ BL = 8 ）
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
的DQ
DQ
Dai0 Dai1 Daj0
Daj1 Daj2 Daj3 Dak0 Dak1 DAK2 Dak3 Dak4 Dak5 Dal0
DAL1 DAL2 Dal3 Dal4 Dal5 Dal6
Dal7
写写
Yi
0
00
Yj
0
00
写
Yk
0
10
写
Yl
0
00
[写由打断阅读]
猝发写操作可通过相同的或其他的银行读取被中断。列随机访问
允许的。内部写为READ命令间隔（ tWTR ）为1 CLK最小。通过屏蔽输入数据
DM在中断的读周期"don't care" 。 tWTR从第一上升沿引用之后，最后
数据输入。
通过写读（ BL = 8 ， CL = 2.5 ）中断
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
DM
Twtr
QS
DQ
Dai0
Dai1
Qaj0
Qaj1 Qaj2 Qaj3 Qaj4 Qaj5 Qaj6
Qaj7
写
Yi
0
00
读
Yj
0
00
三菱电机
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