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三菱的LSI
SDRAM （ Rev.3.2 ）
Feb.'00
M2V64S20DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S30DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S40DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
（ 4 - X银行4,194,304 - WORD X
（ 4 - X银行2,097,152 - WORD X
4-BIT)
8-BIT)
（ 4 - X银行1,048,576 - WORD ×16位）
64M同步DRAM
引脚功能
CLK
输入
主时钟：
所有其它输入都参考CLK的上升沿。
时钟使能：
CKE控制内部时钟。当CKE为低，内部时钟为
下面的循环停止。 CKE也可以用来选择自动/
selfrefresh 。之后，开始自刷新模式时， CKE变
异步输入。只要CKE是低自刷新保持。
片选：
当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-11与BA0,1一起指定行/列地址。
该行地址是通过A0-11指定。列地址
通过A0-9 （ X4 ） / A0-8 （ X8 ）指定/ A0-7 （ X16 ） 。
A10也被用于指示预充电选项。当A10是在高一
读/写命令时，自动预充电被执行。当A10是
在高预充电命令，所有银行都预充电。
银行地址：
BA0,1指定该命令适用四家银行之一。
BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
输入/输出
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-11
输入
BA0,1
输入
DQ0-3(x4),
DQ0-7(x8),
DQ0-15(x16)
DQM(x4,x8),
DQM （U ， L） （ X16 ）
输入
嚣面具和输出禁用：
当DQM （U ， L）是高突发写入，DIN当前周期
蒙面。当DQM （U ， L）是高突发读取， Dout为禁用
接下来而是一个周期。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
电源
电源
三菱电机
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