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DDR SDRAM （ Rev.1.0 ）
七月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
从Vdd的平均电源电流
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，输出开路，除非另有说明）
符号
参数/测试条件
工作电流：一家银行;主动预充电;吨RC = T RC分钟;吨CK
= T CK分钟; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址
和控制输入变化一次，每个时钟周期
工作电流：一家银行;主动读预充电;
IDD1
突发= 2;吨RC = T RC分钟; CL = 2.5 ;吨CK = T CK分钟; IOUT = 0毫安;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：所有银行闲置;加电
关闭模式; CKE <VIL （MAX） ;吨CK = T CK MIN
组织
x4
x8
x16
x4
x8
x16
x4/x8/x16
限制（最大）
-75A
105
110
120
110
115
135
20
-75
105
110
120
110
115
135
20
-10
100
105
115
105
110
130
20
单位
笔记
IDD0
IDD2P
空闲待机电流： / CS > VIH （ MIN） ;所有银行闲置;
IDD2F CKE > VIH （ MIN） ;吨CK = T CK分钟;地址和其它控制输入变化
一旦每一个时钟周期
IDD3P
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一是银行主动;加电
关闭模式; CKE < VIL （ MAX） ;吨CK = T CK MIN
主动待机电流： / CS > VIH （ MIN） ; CKE > VIH （ MIN） ;一
银行;主动预充电;吨RC = T RAS MAX ;吨CK = T CK分钟; DQ ， DM和
IDD3N
DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其他控制输入
每个时钟周期改变一次
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行主动;
IDD4R地址和控制输入的每个时钟周期改变一次; CL = 2.5;吨CK = T CK
MIN ; IOUT = 0 mA时
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行主动;
IDD4W地址和控制输入的每个时钟周期改变一次; CL = 2.5 ;吨CK = T CK
MIN ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍
IDD5
IDD6
自动刷新电流：吨RC = T RFC （ MIN ）
自刷新电流： CKE < 0.2V
x4/x8/x16
40
40
40
x4/x8/x16
30
60
30
60
65
75
150
170
210
145
165
200
185
3
250
260
290
30
55
mA
60
70
140
160
200
135
155
180
175
3
230
240
280
20
20
20
x4/x8/x16
65
75
x4
x8
x16
x4
x8
x16
x4/x8/x16
x4/x8/x16
x4
150
170
210
145
165
200
185
3
250
260
290
IDD7
工作电流，四银行操作：四个银行与交织
BL = 4 - 参照下面的说明20
x8
x16
交流工作条件和特点
（大= 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，输出开路，除非另有说明）
范围
分钟。
VREF + 0.31
VREF - 0.31
0.7
-5
-2
-16.8
16.8
VDDQ + 0.6
5
2
0.5 * VDDQ - 0.2 0.5 * VDDQ + 0.2
马克斯。
符号
参数/测试条件
单位
V
V
V
V
A
A
笔记
VIH （ AC ）高电平输入电压（ AC ）
VIL （ AC ）低电平输入电压（ AC ）
VID （ AC）输入差分电压， CLK和/ CLK
VIX （ AC）输入交叉点电压， CLK和/ CLK
IOZ
II
IOH
IOL
断态输出电流/ Q浮动VO = 0 VDDQ
输入电流/ VIN = 0 VDDQ
输出高电流（ VOUT = VTT + 0.84V ）
输出高电流（ VOUT = VTT - 0.84V ）
7
8
mA
mA
三菱电机
17
