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DDR SDRAM ( Rev.1.2 )
六月'01
初步
M2S56D20 / 30 / 40ATP
引脚配置(顶视图)
三菱的LSI
256M双数据速率同步DRAM
x4
x8
x16
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
NC
VDD
NC
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
NC
VDD
NC
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
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DQ5
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DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
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VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/ CLK
CLK
CKE
NC
A12
A11
A9
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A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
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NC
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VDDQ
NC
NC
VSSQ
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NC
VREF
VSS
DM
/ CLK
CLK
CKE
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A12
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VSS
VSS
NC
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NC
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NC
NC
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NC
NC
VSSQ
的DQ
NC
VREF
VSS
DM
/ CLK
CLK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
66pin TSOP (II)的
400mil宽度
x
875mil长
0.65mm
引线间距
ROW
A0-12
COLUMN
A0-9,11(x4)
A0-9 ( X8 )
A0-8 ( X16 )
CLK , / CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-7
的DQ
DM
VREF
:主时钟
:时钟使能
:片选
:行地址选通
:列地址选通
:写使能
:数据I / O
:数据选通
:写面膜
:参考电压
A0-12
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
:地址输入
:银行地址输入
:电源
:电源的输出
:地面
:接地输出
三菱电机
2

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