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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
256M双数据速率同步DRAM
[写了预充电打断]
猝发写操作可以由相同的或所有的银行的预充电被中断。列随机访问
允许的。 tWR的从最后一个数据输入后的第一正CLK的边缘引用。
写了预充电（ BL = 8 ， CL = 2.5 ）中断
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
DM
QS
DQ
Dai0
Dai1
写
Yi
0
00
PRE
00
tWR的
三菱电机
35
