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DDR SDRAM （ Rev.1.2 ）
六月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP
256 MD ouble ATA 吃了S ynchronous DRAM
[写了写打断]
突发写操作可以通过任何银行的写操作被中断。随机列允许访问。
写入写入间隔至少1个CLK 。
写了写中断（ BL = 8 ）
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
写写
写
写
Yi
Yj
Yk
Yl
A10
BA0,1
0
0
0
0
00
00
10
00
的DQ
DQ
Dai0
Dai1
Daj0
Daj1
Daj2
Daj3
Dak0 Dak1
Dak2
Dak3 Dak4
Dak5
Dal0
Dal1
Dal2
Dal3
Dal4
Dal5
Dal6
Dal7
[写由打断阅读]
猝发写操作可通过相同的或其他的银行读取被中断。随机列
允许访问。内部写为READ命令间隔（ tWTR ）是最小的1 CLK 。该
在DQ输入数据在中断读周期"don't care" 。 tWTR从第一参考
最后一个数据输入后正边沿。
通过写读（ BL = 8 ， CL = 2.5 ）中断
/ CLK
CLK
命令
A0-9,11
A10
BA0,1
DM
Twtr
QS
DQ
Dai0
Dai1
Qaj0
Qaj1
Qaj2
Qaj3
Qaj4
Qaj5
Qaj6
Qaj7
写
读
Yi
Yj
0
0
00
00
三菱电机
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