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三菱微型计算机
M16C / 61群
时序（ VCC = 3V ）
单芯片16位CMOS微机
内存扩展模式和微处理器模式
（无等待）
读时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
60ns.max
V
CC
= 3V
t
H（ BCLK -CS ）
4ns.min
CSI
TCYC
t
H（ RD- CS ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
60ns.max
t
H（ BCLK -AD ）
4ns.min
ADI
BHE
ALE
RD
t
D（ BCLK - ALE ）
t
H（ BCLK - ALE ）
–4ns.min
60ns.max
t
H（ RD -AD ） 0ns.min
t
H（ BCLK -RD ）
0ns.min
t
D（ BCLK -RD ）
60ns.max
t
ac1(RD–DB)
DB
高阻
t
H（ RD -DB ）
t
SU（ DB- RD ）
80ns.min
0ns.min
写时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
60ns.max
t
H（ BCLK -CS ）
4ns.min
CSI
TCYC
t
H（ WR- CS ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
60ns.max
t
H（ BCLK -AD ）
4ns.min
ADI
BHE
ALE
t
D（ BCLK - ALE ）
t
H（ BCLK - ALE ）
60ns.max
–4ns.min
t
H（ WR -AD ）
0ns.min
WR ， WRL ，
WRH
DB
t
D（ BCLK - WR ）
60ns.max
t
D（ BCLK -DB ）
80ns.max
高阻
t
H（ BCLK - WR ）
0ns.min
t
H（ BCLK -DB ）
4ns.min
t
H（ WR -DB ）
t
D（ DB- WR ）
(tcyc/2–80)ns.min
0ns.min
图1.24.9 。 V
CC
= 3V时序图（3）
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