M34D64
M34D32
64/32 Kbit的串行IC总线EEPROM
随着硬件写控制对存储器的前1/4
初步数据
s
s
兼容我
2
C扩展寻址
两线我
2
C接口
支持400千赫协议
单电源电压：
- 4.5V至5.5V的M34Dxx
- 2.5V至5.5V的M34Dxx -W
- 1.8V至3.6V的M34Dxx -R
s
8
1
PSDIP8 （ BN ）
0.25毫米框架
s
前25％的硬件写控制
内存
字节和页写（最多32个字节）
随机和顺序读模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强的ESD /闩锁的行为
超过100万次擦除/写周期
超过40年的数据保存
s
s
s
s
s
s
s
8
1
SO8 （ MN ）
150密耳宽
描述
这些电可擦除可编程
存储器（EEPROM）器件制造用
意法半导体的高耐用性， CMOS
技术。这保证了续航能力
通常远高于百万擦除/写
周期， 40年的数据保持力。该
回忆被组织为8192x8位（ M34D64 ）
和4096x8位（ M34D32 ） ，向下运行至
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
E0, E1, E2
SDA
芯片使能输入
串行数据/地址输入/
产量
串行时钟
写控制
电源电压
地
3
E0-E2
SCL
WC
M34D64
M34D32
SDA
SCL
WC
V
CC
V
SS
VSS
AI02850
2000年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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