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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲DIMM
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1.0 *＃组件
50
SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
对称
BOL
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
对称
BOL
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
M366S3354BTS
民
15
15
15
10
10
8
9
最大
25
25
25
13
15
10
12
M374S6553BTS
民
28
28
28
18
18
8
9
最大
50
50
50
25
30
10
12
M366S6553BTS
民
25
25
25
15
15
8
9
最大
45
45
45
21
25
12
12
M366S2953TS
民
45
45
25
15
15
10
13
M374S2953BTS
民
50
50
28
18
18
13
13
最大
95
95
50
25
30
20
18
最大
85
85
45
21
25
15
18
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
参数
输入电容（A
0
~ A
12
)
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE ）
输入电容（ CLK ）
输入电容（ CS ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
针
输入电容（A
0
~ A
12
)
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE ）
输入电容（ CLK ）
输入电容（ CS ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
1.1修订版2004年2月
