位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1481页 > M470L3324BT0-CB0 > M470L3324BT0-CB0 PDF资料 > M470L3324BT0-CB0 PDF资料1第1页

256MB , 512MB , 1GB无缓冲的SODIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM的无缓冲模块
基于512Mb的184PIN无缓冲模块B -死
66 TSOP -II & 54 sTSOP -II
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何军事或损失
国防应用,或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
修订版1.5 2005年6月