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M48T212Y ， M48T212V
图9.报警中断复位波形
A0-A3
1h
地址0H
Fh
ACTIVE标志位
IRQ / FT
高-Z
AI03021
表12.报警重复模式
RPT5
1
1
1
1
1
0
RPT4
1
1
1
1
0
0
RPT3
1
1
1
0
0
0
RPT2
1
1
0
0
0
0
RPT1
1
0
0
0
0
0
报警设置
每秒一次
每分钟一次
每小时一次
每天一次
每月一次
每年一次
如果SRAM中包括第二芯片使能引脚
（ E2 ） ，该引脚应连接到V
OUT
.
如果数据保存寿命是一个关键的参数
该体系，评点数据是很重要的reten-
化电流规格为特定的
静态存储器进行评估。大多数的SRAM指定
数据保持电流在3.0V 。厂家gen-
erally指定的典型条件的房间temper-
以最坏的情况ATURE沿（一般
在升高的温度） 。系统级的重
quirements将确定选择哪一种val-
UE的使用。
的静态存储器的数据保持电流值可以
然后被添加到我
BAT
该M48T212Y值/
V至确定的总电流要求
数据保留。可用电池容量
您选择的SNAPHAT然后可以分为
通过该电流，以确定数据的再量
张力可用的（见表15）。
终身calcu-的进一步更详细的审查
办法第十四，请参阅应用笔记AN1012 。
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