位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1122页 > M48T212V-85MH6 > M48T212V-85MH6 PDF资料 > M48T212V-85MH6 PDF资料2第4页
M48T212Y ， M48T212V
图3.硬件接线图
A0-A18
5V/3.3V
A0-A3
VCC
VCCSW
摩托罗拉
MTD20P06HDL
A0-Axx
VOUT
0.1F
VCC
CMOS
SRAM
E
0.1F
1N5817
(1)
A
E
EX
W
G
E1CON
注2
E2CON
WDI
RSTIN1
RSTIN2
DQ0-DQ7
VSS
M48T212Y/V
RST
IRQ / FT
E
VCC
CMOS
SRAM
A0-Axx
AI03046
注：电源去耦和冲保护1.见说明。
2.走线连接E1
CON
和E2
CON
到外部SRAM应尽可能地短。
图4.交流测试负载电路
表5. AC测量条件
输入上升和下降时间
≤
5ns
0至3V
1.5V
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
设备
下
TEST
645
注意，输出高阻被定义为点数据
不再驱动。
CL = 100pF的或5pF的
(1)
CL = 30 pF的
(2)
1.75V
CL INCLUDES夹具电容
AI03239
注： 1， DQ0 - DQ7
2. E1
CON
和E2
CON
4/23
