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M48T212Y ， M48T212V
写模式
该M48T212Y / V在写模式时
W（写使能）和E （片选）处于低
之后的地址输入状态是稳定的。开始
一个写的是从后面出现的引用
的W或E来写下降沿被终止
的W或E的地址较早上升沿必须
在整个周期中保持有效。 或W必须重新
转高最少的t
EHAX
从芯片使能
或T
WHAX
从写使能之前的启动
另一种读或写周期。输入数据必须是有效的
t
DVWH
之前写的结尾，并保持有效
t
WHDX
之后。
摹应保持高在写周期，以避免
总线争用;虽然，如果输出总线具有
被激活由低E和G低W上的意志
禁止输出吨
WLQZ
后W跌倒。
当E为低电平写入时，导通的一个过程
板TIMEKEEPER寄存器将被选中，
数据将被写入到器件中。当EX低
（和E高）外部SRAM单元是SE-
选中。
注意：
应注意避免同时服用ê
和EX低同时避免总线conten-
化。
图8.写周期时序： RTC控制信号
写
tAVAV
地址
tAVEH
塔维尔
E
tELEH
写
tAVAV
读
tAVAV
tAVWH
tEHAX
tWHAX ALE低
tAVQV
TGLQV
G
tEHDX
tAVWL
W
TEHQZ
DQ0-DQ7
数据输出
有效
tWLWH
TWHQX
TWLQZ
tDVEH
DATA IN
有效
tDVWH
DATA IN
有效
tWHDX
数据输出
有效
AI02641
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