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M48T212Y ， M48T212V
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz）的
符号
C
IN
C
出（2）
参数
输入电容
输入/输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
2.输出取消。
表7A 。 DC特性M48T212V
(T
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 3V至3.6V ）
符号
I
李（1,2）
I
LO （ 1 ）
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
BAT
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
OHB （ 4 ）
I
OUT1的（5）
I
OUT2
V
PFD
V
SO
V
BAT
注： 1 。
2.
3.
4.
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
电池电流OSC开
电池电流OSC关闭
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压（漏极开路）
(3)
输出高电压
V
OH
备用电池
V
OUT
当前（活动）
V
OUT
电流（电池备份）
电源故障取消电压
备用电池切换电压
电池电压
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
–0.2
民
典型值
最大
±1
±1
单位
A
A
mA
mA
mA
nA
nA
V
V
V
V
V
4
10
3
2
575
800
100
–0.3
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 10毫安
I
OH
= -1.0mA
I
OUT2
= –1.0A
V
OUT1
＆ GT ; V
CC
–0.3
V
OUT2
＆ GT ; V
BAT
–0.3
2.7
2.9
V
PFD
–100mV
3.0
2.4
2.0
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
3.6
70
100
3.0
V
mA
A
V
V
V
输出取消。
RSTIN1和RSTIN2内部上拉至V
CC
通过100KΩ电阻。 WDI内部上拉下来到V
SS
通过100KΩ电阻。
对于IRQ / FT & RST引脚（漏极开路） 。
空调的输出（ E1
CON
- E2
CON
）只能维持在电池备份模式CMOS漏电流。更高的泄漏电流
租金会降低电池寿命。
5.外部SRAM必须匹配TIMEKEE每个控制器芯片V
CC
特定连接的阳离子。
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