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M48T08 ， M48T08Y ， M48T18
操作模式
As
图6 ，第5页
所示，静态存储器AR-
射线和的石英控制的时钟振荡器
M48T08 / 18 / 08Y都集成在一个硅芯片上。
这两个电路被互连在上
八个内存位置，以提供用户可访问
与字节单字节宽时钟信息
地址1FF8h - 1FFFh的。
时钟单元包含年，月，日，
日，小时，分钟和秒以24小时的BCD换
垫子。更正为28 ， 29 （闰年 - 有效期至
2100 ） ， 30 ，和31天的月均取得了automat-
ically 。字节1FF8h是时钟控制寄存器。这
字节控制用户对时钟信息的访问
并且还存储在时钟校准设置。
八个时钟字节并不是实际的时钟
反驳自己;它们的存储位置
由BiPORT 读/写存储器
表2.操作模式
模式
DESELECT
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(1)
≤
V
SO(1)
4.75至5.5V
or
4.5 5.5V
V
CC
E1
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
E2
X
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
X
X
G
X
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
细胞。该M48T08 / 18 / 08Y包括时钟控制
电路更新字节时钟与当前的
信息每秒一次。该信息可
可以由用户以同样的方式作为访问
静态存储器阵列中的任何其他位置。
该M48T08 / 18 / 08Y也有自己的电源失效
检测电路。控制电路不断MON-
itors单5V电源为出公差
条件。当V
CC
是出公差，电路
写保护的SRAM ，从而提供了高度
在不可预知系的中间数据安全
TEM操作以低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布
下面的备用电池切换电压
(V
SO
）时，控制电路将电池连接
这样可保持数据和时钟的操作，直到val-
ID恢复供电。
注：X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
1.见
表11 ，第20页
了解详细信息。
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