M48T128Y ， M48T128V *
数据保持方式
凭有效V
CC
应用时， M48T128Y / V操作
作为一个传统的单字节宽静态RAM 。
如果电源电压衰减时， RAM将非盟
tomatically电源故障取消，写保护它 -
自当V
CC
属于内伏
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出变为高阻
ANCE ，并且所有的输入都被视为“不关心”。
注意：
在写周期，电源故障可能
在当前位置寻址损坏的数据，
但不危及RAM的CON-其余
帐篷里。在低于V的电压
PFD
（分钟），用户可
保证内存将在保护写入
状态，提供了V
CC
下降时间不大于吨以下
F
.
该M48T128Y / V可瞬时噪声回应
在V尖峰
CC
该伸入取消选择窗口
在当时的设备采样V
CC
。 There-
脱颖而出，电源线的去耦是消遣
ommended 。
当V
CC
低于V
SO
中，控制电路
开关电源的内置电池，保护
数据和供电的时钟。内部能量
源将保持在M48T128Y / V数据
的至少10年，在室温的累积期间
温度。由于系统电源升至大于V
SO
,
电池被断开，并且电源
被切换到外部V
CC
。取消持续
t
REC
经过V
CC
达到V
PFD
（最大值）。
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