三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54587P/FP
带钳位二极管的8组500毫安达林顿晶体管阵列
描述
M54587P和M54587FP八个电路集电极电流 -
同步达林顿晶体管阵列。该电路是
由PNP和NPN晶体管。无论是半导体
集成电路进行高电流驱动的EX-
tremely低输入电流供应。
引脚配置
NC
IN1
IN2
IN3
IN4
输入
IN5
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
COM公共
O1
O2
O3
O4
产量
O5
O6
O7
O8
V
CC
NC ：无连接
特点
q
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
q
高电流驱动（我
C（最大值）
= 500mA）请
q
“L”有效电平输入
q
随着输入二极管
q
钳位二极管
q
工作温度范围宽（大= -20 + 75 ° C）
IN6
IN7
IN8
GND
20P4(P)
封装形式20P2N -A （ FP ）
应用
微型计算机和高压之间的接口，高
电流驱动系统，继电器和MOS双极逻辑驱动器
接口IC
电路图（每个电路）
V
CC
7K
输入
7K
2.7K
7.2K
3K
GND
COM
产量
功能
在M54587通过加入PNP晶体管来产生
M54585的投入。八个电路具有有源L电平的输入是
提供的。
正在之间设置串联7kΩ和二极管的电阻
每个输入和PNP晶体管的基极。输入二极管IN-
趋向于防止从输入到电流的流动
V
CC
。如果没有这个二极管，电流从“H”输入到
V
CC
和“L”的输入电路被激活，在这种情况下
的8电路的输入中的一个是“H”，而其它是“L”的
以节省功耗。该二极管被插入，以防止
这样的误操作。
此设备是用于使用的NMOS集成电路驾驶员最合适的输出
把特别是对电流吸收器的驱动程序。
集电极电流为500mA最大。集电极 - 发射极支持
层的电压为50V 。
该M54587FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
这八个电路共用的Vcc ， COM和GND
二极管，用虚线表示，是寄生的，并
不能使用。
单位：
Mar.2002
