三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54534P/FP
带钳位二极管和频闪6 -UNIT 320毫安晶体管阵列
注1：测试电路
输入
V
CC
测量设备
开放
PG
机顶盒
50
C
L
产量
产量
50%
50%
时序图
V
O
50%
50%
R
L
输入
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50
V
P
= 3.2V
P-P
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 40, V
O
= 10V, V
CC
= V
机顶盒
= 6.5V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
典型特征
输出饱和电压
集电极电流特性
400
热降额因子特征
2.0
功耗PD （W ）
1.5
M54534P
集电极电流Ic （ mA）的
300
1.0
M54534FP
200
V
I
= 3.2V
V
CC
= 3V
V
机顶盒
= 2.4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
0.5
100
0
0
25
50
75
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
(M54534P)
400
400
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比集电极特性
(M54534P)
集电极电流Ic （ mA）的
300
集电极电流Ic （ mA）的
1~3
4
5
200
6
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25° C，V
CC
= 6.5V
1,2
300
3
200
4
100
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75 ° C，V
CC
= 6.5V
5
6
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
Aug.1999
