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三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新和Hyper-页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，参见注释14,15）
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
参数
刷新周期时间
刷新周期时间
*
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
8.2
128
32
民
最大
8.2
128
38
民
最大
8.2
128
42
（注16 ）
（注17 ）
（注18 ）
30
18
5
0
8
13
0
0
8
8
0
0
13
13
13
1
40
20
5
0
10
15
0
0
10
10
0
0
15
15
15
1
50
20
5
0
25
10
30
13
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间， RAS高到数据
t
RDD
延迟时间，中国科学院高数据
t
CDD
延迟时间， OE高到数据
t
ODD
t
T
转换时间
注14：时序要求被假定
t
T
=2ns.
13
15
0
0
10
10
0
0
20
20
20
1
35
13
（注19 ）
（注19 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注21 ）
50
50
50
15: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
16:
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD （最大）
，存取时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD （最大
） ，访问时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
17:
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大
） ，存取时间是由专门受控
t
AA
.
18:
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
.
19 ：要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
20 ：要么
t
RDD
or
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
21:
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
ORH
t
OCH
参数
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
90
50
8
40
13
0
0
0
25
13
13
13
最大
10000
10000
民
110
60
10
48
15
0
0
0
30
18
15
15
最大
10000
10000
民
130
70
13
55
20
0
0
0
35
23
20
20
最大
10000
10000
（注22 ）
（注22 ）
列地址到RAS保持时间
列地址到CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
注22 ：要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
5
