MA31750
P在我的娜
FUNC吨离子
德S·C RIPT离子
MMU有限公司NTRO L
AS [ 0 ： 3 ]
地址国家
高电平有效
AS0是MSB
PB [ 0：3]
此高电平有效总线表示CPU的当前地址状态。该总线上的价值
从CPU中的状态字寄存器复制。这些线公交车在投入
周期不分配给该CPU ，从而使MFPR和MFAR可以存储有关
如果远程故障发生的故障信息。
页面央行选择在1750B模式下，该高电平有效总线表示当前CPU页Bank 。该值
高电平有效
这辆车是从CPU中的状态字寄存器复制。这些线是输入
在总线周期尚未分配给该CPU，从而使MFPR和MFAR可以存储
PB0是MSB
如果远程故障发生的相关故障信息。
DI S CRE释
CONFWN
CON组fi guration
寄存器读
频闪
低电平有效
SNEW
新起点
循环频闪
高电平有效
DISCON
分立器件输出
频闪
低电平有效
DMAE
启用DMA
高电平有效
CONREQN
此低电平有效输出信号为低时，处理器读取外部
配置寄存器。该线可以用作输出使能对这个寄存器。该
在初始化和BPT的执行过程中配置寄存器读
指令，以确定系统配置。
在每个机器周期的第一阶段，此高电平有效输出将被置为高电平。
期间XIO OD或XIO RDOR此低电平有效输出将被置为低电平由处理器
命令。它可以被用作使能信号为外部离散输出寄存器。
西荣
NPU
TGON
DTON
DPARN
RESETN
此高电平输出表示外部DMA设备被使能。它被禁用
（低）复位后，可以使用XIO DMAE和XIO程序的控制下进行切换
DMAD ， （如果一个DMA设备被设置为当前配置寄存器中） 。
控制台请求该低电平有效的输入启动并控制控制台操作的1750年结束后
指令。命令和数据经由3传递到处理器在该模式
低电平有效
在IO空间的专用寄存器。控制台操作的优先级高于中断。
初创-ROM
此低电平有效输出指示启动ROM启用。该信号为低电平
启用
以下初始化或XIO ESUR 。信号保持有效，直到与XIO删除
DSUR 。当一个启动ROM存在于配置字指示的系统上，
低电平有效
这个信号应被用于限定其芯片选择或输出使能，使得光盘
可被访问，只有当西荣低。
不是E：
指令流水线必须在移动从初创ROM到RAM中加以考虑。
查看软件的注意事项第4节。
正常开机这个输出是断言，表明内置LN-测试（ BIT ） ，上电复位或加电完成
分离
了，已经过去了。线被置为低电平以下外部复位，并且也可以重新设置
由软件使用XIO RNS命令。
高电平有效
触发输出去此低电平有效输出为低电平时触发，进入计数器溢出（卷
分离
以上为0000 ） 。它返回到高电平状态时，计数器被重置软件（使用
XIO GO命令） 。
低电平有效
禁止超时的低电平输入复位并禁用总线故障超时电路。
低电平有效
禁止奇偶校验
在此输入低复位并禁用片上的奇偶校验。
不是E：
奇偶
GENERATION
上写入的数据没有用该引脚被禁用。
低电平有效
CPU复位
此低电平有效的输入应置为低电平复位处理器。低到高
过渡将启动初始化序列，其将执行内置测试（如果
复位=低
选择） ，初始化所述处理器按照MIL-STD- 1750 （参见图2和图3）。
图39 （续） ：引脚说明
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