飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
MAC223系列
40
P合计/ W
TMB （最大值） / C
85
30
25
IT （ RMS ） / A
BTA140
91 C
= 180
30
1
120
90
60
95
20
105
20
30
15
10
10
115
5
0
125
30
0
5
10
15
IT （ RMS ） / A
20
25
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
1000
50
40
30
100
dI
T
/ dt限制
T2- G +象限
IT
T
10
10us
我TSM
时间
20
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
150
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
91C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
200
1.6
1.4
1.2
1
0.8
TJ初始= 25℃最高
100
50
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2001年7月
4
启1.000
