摩托罗拉
半导体技术资料
双向可控硅
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如调光器的设计，
马达控制，加热控制和电源;或是其他地方，全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
门极触发保证在三种模式下（ MAC210系列）或四种模式
（ MAC210A系列）
MAC210
系列
MAC210A
系列
双向可控硅
10安培RMS
200通800伏
MT2
G
MT1
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式4
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = -40至+ 125°C ，
1/2正弦波50到60赫兹，门打开）
符号
VDRM
MAC210-4 ， MAC210A4
MAC210-6 ， MAC210A6
MAC210-8 ， MAC210A8
MAC210-10 ， MAC210A10
IT （ RMS ）
ITSM
200
400
600
800
10
100
安培
安培
价值
单位
伏
通态电流有效值（ TC = + 70 ° C）
完整周期的正弦波50到60赫兹
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TC = + 70 ° C）
前面和后面的额定电流
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（ TC = + 70 ° C，脉冲宽度= 10
s)
平均栅极电源（ TC = + 70 ° C，T = 8.3毫秒）
栅极峰值电流
（ TC = + 70 ° C，脉冲宽度= 10
s)
工作结温范围
存储温度范围
I2t
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
40
20
0.35
2
-40到+125
-40到+125
A2s
瓦
瓦
安培
°C
°C
（1）在VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
器件的电压额定值被超过。
摩托罗拉晶闸管设备数据
3–75
