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MB84VD2218XEG/EH/2219XEG/EH
-90
表1. 3用户总线操作（闪烁=字节模式; CIOf = VSS ， SRAM =字节模式下， CIO们= VSS）
操作（ 1 ） ， （ 3 ） CEF CE1S CE2s DQ
15
/A
–1
OE WE SA瑞银（UBS）的LB
(6) (6)
全备
H
H
输出禁用
L
从Flash中读取
(2)
写FLASH
从SRAM读
写入SRAM
临时机构
组
Unprotection(4)
闪存硬件
RESET
引导扇区座
写保护
注意事项：
L
L
H
H
X
H
X
L
H
X
H
X
H
X
L
L
X
H
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
H
H
X
X
L
X
X
X
X
A
–1
A
–1
A
–1
X
X
X
X
H
X
H
L
H
L
X
X
X
H
X
H
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
SA
SA
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
DQ
0
to
DQ
7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
D
IN
X
DQ
8
to
DQ
14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
X
高-Z
高-Z
X
H
H
H
H
V
ID
X
X
X
X
X
H
X
WP /
RESET ACC
(5)
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
高-Z
X
高-Z
X
L
X
X
L
图例：
L = V
IL
，H = V
IH
，X = V
IL
或V
IH
。见DC特性的电压等级。
除了表示此列1.其他操作都被禁止。
2.我们可以为V
IL
如果OE为V
IL
， OE在V
IH
启动写操作。
3.不要使用CEF = V
IL
， CE1S = V
IL
和CE2s = V
IH
的时间。
4.它也可用于工作在扩展扇区团保护。
5. WP / ACC = V
IL
;保护引导扇区。
WP / ACC = V
IH
;清除引导扇区保护。
WP / ACC = V
加
（ 9V ） ;节目时间会减少40％ 。
6. LB
S
， UB
S
;不关心或打开。
10
