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MB84VD2208XEA
-90
/MB84VD2209XEA
-90
2.交流特性
CE时序
参数
符号
JEDEC
—
标准
t
CCR
CE恢复时间
—
分钟。
0
ns
描述
测试设置
-90
单位
时序图交替SRAM闪存
持续进修基金
t
CCR
t
CCR
CE1s
t
CCR
t
CCR
CE2s
只读操作特性（闪存）
参数符号
描述
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
—
标准
t
RC
t
加
t
CE
f
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
准备
读周期时间
地址输出延迟
芯片使能到输出延迟
输出使能到输出延迟
芯片使能输出高-Z
输出使能到输出高阻
输出保持时间从地址，
CEF或OE ，先到为准
RESET引脚为低电平阅读模式
—
CEF = V
IL
OE = V
IL
OE = V
IL
—
—
—
—
—
测试设置
分钟。
90
—
—
—
—
—
0
—
马克斯。
—
90
90
40
30
30
—
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
-90 （注）
单位
注：测试条件 - 输出负载： 1 TTL门和30 pF的
输入上升和下降时间： 5ns的
输入脉冲电平： 0.0 V至3.0 V
定时测量参考电平
输入： 1.5 V
输出： 1.5 V
36
